Добро пожаловать в Roviyno Intelligent Technology Co., Limited
+8613534288447
Дом / Продукты / Модуль усилителя мощности RF / Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт
Качество Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт Фабрика
Качество Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт Фабрика
Качество Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт Фабрика
Качество Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт Фабрика
Качество Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт Фабрика

Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт

Основные свойства
Место происхождения: Материковый Китай
Наименование марки: Roviyno
Номер модели: РАГ
Торговая недвижимость
Минимальное количество заказа: 100
Цена: $65/pc--$165/pc
Условия оплаты: Т/Т
Способность к поставкам: <500 шт. 10 рабочих дней
Бирки

Усилитель мощности радиочастотного сигнала

Радиоусилитель противобеспилотных летательных аппаратов

Антидроновый радиочастотный модуль ПА
Резюме продукта
Высокомощный ВЧ-усилитель GaN 50 Вт 100 Вт для подавления дронов Высокопроизводительные узкополосные и широкополосные ВЧ-усилители мощности, построенные на передовой твердотельной технологии (LDMOS & GaN) в конфигурациях класса A / класса A/B. Разработаны для приложений AM, FM, VHF и UHF с выходной ...

Детали продукта

Выделить:

Мощный усилитель GaN на 100 Вт

,

Мощный усилитель для защиты от дронов

,

Усилитель GaN для защиты от дронов
Frequency Range: Индивидуальные
Working Voltage: 28В
Output Power (Max): ≥47 дБм
LED Indicator: Да
Dimension: 130*58*18 мм
Working Temperature: -20°C+65°C
Характер продукции
Высокомощный ВЧ-усилитель GaN 50 Вт 100 Вт для подавления дронов

Высокопроизводительные узкополосные и широкополосные ВЧ-усилители мощности, построенные на передовой твердотельной технологии (LDMOS & GaN) в конфигурациях класса A / класса A/B. Разработаны для приложений AM, FM, VHF и UHF с выходной мощностью от низких уровней до 50 дБм и выше. Доступны индивидуальные решения по частоте и мощности.

         

Основные преимущества продукта

  • Сверхширокий диапазон частот — охватывает от 100 МГц до 7,2 ГГц для полного спектра подавления дронов
  • Гибкая настройка частоты — стандартная полоса 5725–5850 МГц свободно настраивается на любую требуемую частоту
  • Настраиваемые параметры — регулируемая полоса пропускания и напряжение GaN для точной оптимизации производительности
  • Полный сервис ODM/OEM — индивидуальный дизайн, производство образцов и быстрая инженерная поддержка
  • Быстрые сроки выполнения — доставка в течение 3–10 рабочих дней после подтверждения оплаты
  • Множество способов оплаты — принимаются T/T, Western Union, PayPal, кредитная карта
  • Мировая логистика — экспресс-доставка через DHL / UPS / FedEx / TNT или морские перевозки в любой пункт назначения
Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 ВтВысокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 ВтВысокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт
Технический паспорт модуля 50 Вт
ВЧ ДАННЫЕ
Наименование Спецификация. Примечания
Рабочее напряжение 28 В 24-28 В
Рабочий ток ≤ 4,2 А Выход 50 Вт
Скорость аналогового сканирования 120 кГц/ 8 мкс На заказ
Выходная мощность (макс.) 47±1 дБм 50 Вт
Коэффициент усиления 47±1 дБ  
Пульсации в полосе ≤ 3 дБ Пик
Регулировка полосы пропускания Да С помощью винта
Регулировка центра Да С помощью винта
Защита от КСВ Внутренний циркулятор На заказ
Защита от перегрева 75°C На заказ
Защита от холостого хода Да На заказ
Управление включением На заказ 3-28 В
Источник входного сигнала Встроенный высокоскоростной источник модулированного шумового сигнала  
Выходной КСВ ≤2  
Испытание на высокую и низкую температуру Температура -20~+65°C Нормальная работа
Стабильность усиления ±2 дБ При -20°C ~ +65°C
Стабильность мощности ±2 дБ При -20°C ~ +65°C
Порт питания Положительный и отрицательный (Опционально: провод управления включением)
Материал корпуса Алюминий С полированной обработкой
ВЧ выходной разъем SMA-K  
Размеры 112*37*16 мм Или на заказ
Размер винта M2.5  
Вес 230 г На заказ
Дополнительные частоты
№ Диапазон частот Выходная мощность Технология PA Изолятор Размеры (мм)
ВЧ усилитель мощности 50 Вт VCO
1 20–100 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×58×16
2 100–200 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×40×18 / 117×58×16
3 200–300 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×40×18 / 117×58×16
4 300–400 МГц 50 Вт GaN Нет 117×40×18 / 117×58×16
5 300–400 МГц 50 Вт LDMOS Да 130×58×18
6 300–400 МГц 50 Вт GaN Да 130×58×18
7 400–500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
8 500–600 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
9 600–700 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
10 700–840 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
11 840–1020 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
12 1000–1300 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
13 1300–1500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
14 1550–1650 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
15 1700–1900 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
16 1900–2100 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
17 2400–2500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
18 2575–2690 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
19 3100–3800 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
20 3800–4800 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
21 4800–5000 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
22 5100–5300 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
23 5300–5700 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
24 5700–5850 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
25 5900–6200 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт
Изображения продукта
Высокомощный усилитель RF диапазона для защиты от дронов на основе GaN, 50 Вт / 100 Вт

Mr. Jaron

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

Отправить запрос