GaN 50W 100W مضاد الطائرات بدون طيار وحدة مكبرات الراديو اللاسلكية متعددة النطاقات الحالة الصلبة 10MHz-6GHz الطاقة العالية
الخصائص الأساسية
مكان المنشأ:
البر الرئيسى للصين
الاسم التجاري:
Roviyno
رقم الطراز:
راح
تداول العقارات
كمية الحد الأدنى للطلب:
100
سعر:
$65/pc--$165/pc
شروط الدفع:
تي/تي
القدرة على التوريد:
<500 قطعة 10 أيام عمل
ملخص المنتج
وحدة مضخم طاقة RF عالي الطاقة GaN 50W 100W مضاد للطائرات بدون طيار متعدد النطاقات صلبة 10MHz-6GHz وحدات مضخم طاقة RF صلبة تستخدم أجهزة LDMOS و GaN في طوبولوجيا الفئة A والفئة A/B. مصممة للتشغيل الضيق النطاق والواسع النطاق عبر نطاقات AM و FM و VHF و UHF، وتوفر طاقة خرج من 0 ديسيبل ميلي واط إلى أكثر م...
تفاصيل المنتج
إبراز:
وحدة تضخيم GaN 10MHz-6GHz
,وحدة مكبرات الراديو اللاسلكي في الحالة الصلبة
,وحدة مكبرات الراديو اللاسلكية ضد الطائرات بدون طيار
Frequency Range:
حسب الطلب
Working Voltage:
28 فولت
Output Power (Max):
≥47 ديسيبل واط
LED Indicator:
نعم
Dimension:
130*58*18 ملم
Working Temperature:
-20～+65 درجة مئوية
Gain:
47±1 ديسيبل
Ripple In Band:
≥ 3 ديسيبل
Temperature Protection:
75
Input Signal Source:
المدمج في مصدر إشارة تعديل الضوضاء عالية السرعة
وصف المنتج
وحدة مضخم طاقة RF عالي الطاقة GaN 50W 100W مضاد للطائرات بدون طيار متعدد النطاقات صلبة 10MHz-6GHz
وحدات مضخم طاقة RF صلبة تستخدم أجهزة LDMOS و GaN في طوبولوجيا الفئة A والفئة A/B. مصممة للتشغيل الضيق النطاق والواسع النطاق عبر نطاقات AM و FM و VHF و UHF، وتوفر طاقة خرج من 0 ديسيبل ميلي واط إلى أكثر من 50 ديسيبل ميلي واط. وحدات مخصصة متاحة عند الطلب. نقدم وحدات مضخم طاقة RF مبنية على تقنية GaN القوية مع تكامل متقدم متعدد الرقاقات وأشكال مدمجة تتميز بواجهة إدخال وإخراج 50 أوم. مصممة للتشغيل واسع النطاق، وصديق لـ DPD، وتوفر كسبًا وكفاءة عالية مع أداء حراري قوي.
أبرز مميزات المنتج
- قدرة تردد واسعة: تغطية من 100 ميجاهرتز إلى 7.2 جيجاهرتز تضمن التشويش الشامل لإشارات الطائرات بدون طيار
- خيارات تردد مخصصة: تردد العمل (مثل 5725-5850 ميجاهرتز) قابل للتخصيص بالكامل لمواصفات العميل
- قابلية ضبط محسّنة: يمكن ضبط عرض النطاق الترددي وجهد تشغيل GaN بدقة لتحقيق أقصى قدر من الكفاءة
- حلول ODM و OEM كاملة: من تصميم المفهوم والنماذج الأولية إلى تعديلات الإنتاج
- دورة تسليم سريعة: شحن قياسي في 3-10 أيام عمل بعد استلام الإيداع
- خيارات دفع مريحة: مدعومة بـ T/T و Western Union و PayPal وبطاقة الائتمان
- شحن عالمي موثوق: DHL و UPS و TNT و FedEx السريع أو الشحن البحري الاقتصادي متاح في جميع أنحاء العالم
لماذا ترانزستورات GaN؟
- الخصائص الرئيسية التي تجعل نيتريد الغاليوم تقنية تمكينية هي كثافة الطاقة الأعلى بكثير والموثوقية الأكبر. لقد مكّنت كثافة الطاقة المتزايدة لـ GaN (واط/مم) Empower من تقليل أحجام مضخمات الطاقة، وتقليل متطلبات التبريد والمشتتات الحرارية، وتعبئة المزيد من الطاقة لكل حجم معين. مع زيادة الكفاءات التي توفرها GaN، تقدم Empower RF مضخمات طاقة واسعة النطاق أكثر موثوقية وأصغر وأخف وزنًا.
- يوفر GaN - وبشكل أكثر تحديدًا GaN على SiC - طاقة خرج أعلى، وعرض نبضات أطول، ودورات عمل أكبر، وعمر افتراضي أطول بكثير (MTTF) مقارنة بـ GaN على Si، و GaAS HEMT، و LDMOS، وترانزستورات الطاقة العالية MOSFET.
- جهود انهيار أعلى 60 إلى 80 VBRDSS (100-150 فولت)
- كثافة طاقة أعلى
- موصلية حرارية فائقة
- مثال: LDMOS - تبديد 12 واط/مم مربع مقابل GaN - تبديد 70 واط/مم مربع
- درجات حرارة وصلة أعلى > 200 درجة مئوية (+225 درجة مئوية إلى 250 درجة مئوية)
- سرعة انجراف إلكترون مشبعة أعلى (قدرة توصيل تيار أعلى)
- سعة داخلية أقل توفر مقاومة إدخال/إخراج أعلى للجهاز مما يسمح بمطابقة واسعة النطاق
- يوفر GaN كسبًا وكفاءة عالية (نطاق ضيق 50% إلى 60%)
- كسب خطي فائق وكفاءة طاقة مضافة (PAE)
يوفر GaN - وبشكل أكثر تحديدًا GaN على SiC - طاقة خرج أعلى، وعرض نبضات أطول، ودورات عمل أكبر، وعمر افتراضي أطول بكثير (MTTF) مقارنة بـ GaN على Si، و GaAS HEMT، و LDMOS، وترانزستورات الطاقة العالية MOSFET.
ورقة بيانات فنية لوحدة 50 واط
بيانات RF
| البند | المواصفات. | ملاحظات | |
|---|---|---|---|
| جهد التشغيل | 28 فولت | 24-28 فولت | |
| تيار التشغيل | ≤ 4.2 أمبير | خرج 50 واط | |
| سرعة المسح التناظري | 120 كيلو هرتز/ 8 ميكرو ثانية | تخصيص | |
| طاقة الخرج (القصوى) | 47±1 ديسيبل ميلي واط | 50 واط | |
| الكسب | 47±1 ديسيبل | ||
| تموج في النطاق | ≤ 3 ديسيبل | ذروة | |
| تعديل عرض النطاق الترددي | نعم | بواسطة برغي | |
| تعديل المركز | نعم | بواسطة برغي | |
| حماية VSWR | دائرة داخلية | تخصيص | |
| حماية درجة الحرارة | 75 درجة مئوية | تخصيص | |
| حماية عدم التحميل | نعم | تخصيص | |
| التحكم في التمكين | تخصيص | 3-28 فولت | |
| مصدر إشارة الإدخال | مصدر إشارة تعديل ضوضاء مدمج عالي السرعة | ||
| خرج VSWR | ≤2 | ||
| اختبار درجة الحرارة العالية والمنخفضة | درجة الحرارة | -20 ~ +65 درجة مئوية | يعمل بشكل صحيح |
| استقرار الكسب | ±2 ديسيبل | عند -20 درجة مئوية ~ +65 درجة مئوية | |
| استقرار الطاقة | ±2 ديسيبل | عند -20 درجة مئوية ~ +65 درجة مئوية | |
| منفذ إمداد الطاقة | إيجابي وسلبي | (اختياري: سلك التحكم في التمكين) | |
| مادة الغلاف | ألومنيوم | مع معالجة تلميع | |
| موصل خرج RF | SMA-K | ||
| الأبعاد | 112*37*16 ملم | أو تخصيص | |
| حجم البرغي | M2.5 | ||
| الوزن | 230 جرام | تخصيص | |
ترددات اختيارية
| رقم. | نطاق التردد | طاقة الخرج | تقنية PA | عازل | الأبعاد (مم) |
|---|---|---|---|---|---|
| وحدة مضخم طاقة RF 50 واط VCO | |||||
| 1 | 20-100 ميجاهرتز | 50 واط | SiMOS | لا | 117×58×16 |
| 2 | 100-200 ميجاهرتز | 50 واط | SiMOS | لا | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 3 | 200-300 ميجاهرتز | 50 واط | SiMOS | لا | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 4 | 300-400 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | لا | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 5 | 300-400 ميجاهرتز | 50 واط | LDMOS | نعم | 130×58×18 |
| 6 | 300-400 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 130×58×18 |
| 7 | 400-500 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 8 | 500-600 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 9 | 600-700 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 10 | 700-840 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 11 | 840-1020 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 12 | 1000-1300 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 13 | 1300-1500 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 14 | 1550-1650 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 15 | 1700-1900 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 16 | 1900-2100 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 17 | 2400-2500 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 18 | 2575-2690 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 19 | 3100-3800 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 20 | 3800-4800 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
| 21 | 4800-5000 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
| 22 | 5100-5300 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
| 23 | 5300-5700 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
| 24 | 5700-5850 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
| 25 | 5900-6200 ميجاهرتز | 50 واط | GaN | نعم | 117×58×16 |
صور المنتج
منتجات ذات صلة
-
وحدة الملاحة المضادة للتعطيل عالية الموثوقية لـ 8 قنوات للدفاع
What is GPS/GNSS jamming? GPS/GNSS jamming happens when weak satellite signals are disrupted by stronger radio signals on the same or nearby frequencies. Because GNSS signals travel from satellites far away in orbit, they are very weak and easy to overpower. What is Anti Jamming GNSS Systems? Anti ... -
وحدة إشارة الملاحة المحمولة 4 7 13 22 قناة متعددة الأوضاع توجيه GNSS وحدة التزوير
Portable Navigation Signal Module 4/7/13/22 Channel Multi-Mode Guidance GNSS Spoofing Module What is GPS/GNSS jamming? GPS/GNSS jamming happens when weak satellite signals are disrupted by stronger radio signals on the same or nearby frequencies. Because GNSS signals travel from satellites far away ... -
مصدر إشارة تشويش BDS GPS GLONASS Galileo خفيف الوزن رباعي القنوات للملاحة
4-Channel Lightweight BDS GPS GLONASS Galileo Navigation Spoofing Signal Source What is GPS/GNSS jamming? In an era where GNSS reliability is threatened by jamming and spoofing, ensuring the resilience of navigation systems is critical. For applications like reference networks and drone surveillance... -
4 نقاط تردد Gnss وحدة مكافحة الطائرات بدون طيار
4 Frequency Points Gnss Anti Drone Spoofing Module Anti-Drone Module Product Specification Parameter Specification Input Voltage DC 9V ~ 18V Power Consumption (Standby) ≤ 5 W Power Consumption (Max Tx) ≤ 9 W Operating Temperature –30°C ~ +70°C Storage Temperature –40°C ~ +80°C GNSS Reception Bands ...
