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Maison / Produits / Module amplificateur de puissance RF / GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance
Qualité GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance Usine
Qualité GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance Usine
Qualité GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance Usine
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GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance

Propriétés de base
Lieu d'origine: Chine continentale
Nom de marque: Roviyno
Numéro de modèle: HRA
Propriétés commerciales
Quantité de commande minimale: 100
Prix: $65/pc--$165/pc
Conditions de paiement: T/T
Capacité à fournir: <500 pièces 10 jours ouvrables
Étiquettes

Amplificateur de puissance RF

Amplificateur RF contre UAS

Module PA RF anti-drone
Résumé du produit
GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF à haute puissance 10MHz-6GHz multibande à l'état solide Modules d'amplificateur de puissance RF à l'état solide utilisant des dispositifs LDMOS et GaN dans des topologies de classe A et de classe A/B. Conçus pour une utilisation à bande étroite et à large bande ...

Détails de produit

Mettre en évidence:

Module d'amplificateur GaN 10 MHz-6 GHz

,

Module d'amplificateur RF à état solide

,

Module d'amplificateur RF anti-drone de 100 W
Frequency Range: Personnalisé
Working Voltage: 28V
Output Power (Max): ≥47 dBm
LED Indicator: Oui
Dimension: 130*58*18mm
Working Temperature: -20 ̊ + 65°C
Gain: 47 ± 1 dB
Ripple In Band: ≤ 3 dB
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Source de signal de modulation de bruit haute vitesse intégrée
Description de produit
GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF à haute puissance 10MHz-6GHz multibande à l'état solide

Modules d'amplificateur de puissance RF à l'état solide utilisant des dispositifs LDMOS et GaN dans des topologies de classe A et de classe A/B. Conçus pour une utilisation à bande étroite et à large bande dans les bandes AM, FM, VHF et UHF,une puissance de sortie de 0 dBm à plus de 50 dBmDes modules sur mesure sont disponibles sur demande.Nous offrons des modules d'amplificateur de puissance RF construits sur une technologie GaN robuste avec une intégration multi-die avancée et des facteurs de forme compacts avec une interface d'entrée et de sortie de 50 OhmsIls sont conçus pour un fonctionnement à large bande et convivial pour le DPD, offrant un gain et une efficacité élevés avec des performances thermiques robustes.

Points forts du produit
  • Capacité à large fréquence: 100 MHz ¥ 7,2 GHz assure un brouillage complet du signal des drones
  • Options de fréquence personnalisées: fréquence de fonctionnement (par exemple 5725-5850 MHz) entièrement personnalisable selon les spécifications du client
  • Réglabilité optimisée: la bande passante et la tension de fonctionnement GaN peuvent être réglées pour une efficacité maximale
  • Solutions complètes ODM et OEM: de la conception et du prototypage aux ajustements de production
  • Cycle de livraison rapide: expédition standard dans les 3 à 10 jours ouvrables suivant la réception du dépôt
  • Options de paiement pratiques: T/T, Western Union, PayPal et carte de crédit sont pris en charge
  • Expédition mondiale fiable: DHL, UPS, TNT, FedEx express ou fret maritime économique disponible dans le monde entier

 

Pourquoi les transistors GaN?

  • Les caractéristiques clés qui font du nitrure de gallium une technologie propice sont sa densité de puissance significativement plus élevée et sa fiabilité accrue.L'augmentation de la densité de puissance de GaN (W / mm) a permis à Empower de réduire les tailles des amplificateurs de puissanceAvec l'augmentation de l'efficacité fournie par GaN, Empower RF offre des performances plus fiables,amplificateurs de puissance à large bande plus petits et plus légers.
  • GaN - plus spécifiquement GaN sur SiC - fournit une puissance de sortie plus élevée, des largeurs d'impulsions plus longues et des cycles de travail plus longs et un MTTF significativement plus élevé que GaN sur Si, GaAS HEMT, LDMOS,et transistors à haute puissance MOSFET.
  • Voltages de rupture supérieurs de 60 à 80 VBRDSS (100 à 150 Volts)
  • Densité de puissance plus élevée
  • Conductivité thermique supérieure
  • Exemple: LDMOS - dissipation de 12 W/mm2 contre GaN - dissipation de 70 W/mm2
  • Températures de jonction plus élevées > 200°C (+ 225°C à 250°C)
  • Vélosité de dérive d'électrons saturés plus élevée (capacité d'alimentation en courant plus élevée)
  • Capacité intrinsèque inférieure qui fournit des impédances de périphérique d'entrée/sortie plus élevées permettant une correspondance haut débit
  • Le GaN offre un gain et une efficacité élevés (bande étroite de 50% à 60%)
  • Efficacité ajoutée de bruit et de puissance linéaire supérieure (PAE)

GaN - plus spécifiquement GaN sur SiC - fournit une puissance de sortie plus élevée, des largeurs d'impulsions plus longues et des cycles de travail plus longs et un MTTF significativement plus élevé que GaN sur Si, GaAS HEMT, LDMOS,et transistors à haute puissance MOSFET.

GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissanceGaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissanceGaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance
 
Fiche technique du module 50 W
Données RF
Nom de l'article Des spécifications. Les commentaires
Voltage de fonctionnement 28 V 24 à 28 V
Courant de fonctionnement ≤ 4,2 A Sortie 50 W
Vitesse de balayage analogique 120 KHz/ 8 μ/s Personnaliser
Puissance de sortie (max) 47 ± 1 dBm 50 W
Les gains 47 ± 1 dB  
Ripple dans la bande ≤ 3 dB Le sommet
Réglage de la bande passante - Oui, oui. Par vis
Réglage du centre - Oui, oui. Par vis
Protéger contre le VSWR Circulateur interne Personnaliser
Protection contre les températures 75°C Personnaliser
Protection contre les charges - Oui, oui. Personnaliser
Activer le contrôle Personnaliser 3 à 28 V
Source du signal d'entrée Source de signal de modulation du bruit à grande vitesse intégrée  
Résultats VSWR ≤ 2  
Essai à basse température élevée Température -20 ̊ + 65 °C Travailler correctement
Une stabilité accrue ± 2 dB À -20°C ∼ + 65°C
Stabilité de la puissance ± 2 dB À -20°C ∼ + 65°C
Port d'alimentation électrique Positif et négatif (Facultatif: activer le câble de commande)
Matériau de la coquille D'aluminium d'une épaisseur n'excédant pas 1 mm
Connecteur de sortie RF SMA-K  
Dimension 112*37*16 mm Ou personnaliser
Taille de vis Le M2.5  
Le poids 230 g Personnaliser
Fréquences facultatives
Je ne veux pas. Plage de fréquences Puissance de sortie Technologie de la PA Isolateur Dimension (mm)
Module d'amplificateur de puissance RF VCO de 50 W
1 20 ̊100 MHz 50 W SiMOS Je ne veux pas. 117 × 58 × 16
2 100 à 200 MHz 50 W SiMOS Je ne veux pas. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
3 200 à 300 MHz 50 W SiMOS Je ne veux pas. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
4 300 à 400 MHz 50 W GaN Je ne veux pas. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
5 300 à 400 MHz 50 W LDMOS - Oui, oui. 130 x 58 x 18
6 300 à 400 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 130 x 58 x 18
7 400 à 500 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
8 500 à 600 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
9 600 à 700 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
10 700 à 840 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
11 840 ∼ 1020 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
12 1000 ∼ 1300 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
13 1300 ∼ 1500 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
14 1550 à 1650 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
15 1700 à 1900 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
16 1900 ∼ 2100 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
17 2400 à 2500 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
18 2575 ∼ 2690 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
19 3100 à 3800 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
20 3800 à 4800 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
21 4800 à 5000 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
22 5100 ∼ 5300 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
23 5300 à 5700 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
24 fréquences de fréquence 5700 ∼ 5850 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
25 5900 à 6200 MHz 50 W GaN - Oui, oui. 117 × 58 × 16
GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance
Images du produit
GaN 50W 100W Module d'amplificateur RF anti-drone à bande multi-état solide 10MHz-6GHz Haute puissance

Mr. Jaron

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