Bem-vindo ao Roviyno Intelligent Technology Co., Limited
+8613534288447
Casa / Produtos / Módulo Amplificador de Potência RF / Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz
Qualidade Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz Fábrica
Qualidade Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz Fábrica
Qualidade Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz Fábrica
Qualidade Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz Fábrica
Qualidade Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz Fábrica

Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz

Propriedades básicas
Lugar de origem: China continental
Nome da marca: Roviyno
Número do modelo: RAH
Propriedades comerciais
Quantidade mínima do pedido: 100
Preço: $65/pc--$165/pc
Condições de pagamento: T/T
Capacidade de abastecimento: <500 unidades 10 dias úteis
Etiquetas

Amplificador de potência de sinal de RF

Amplificador de rádio contra UAS

Módulo de PA RF anti-drone
Resumo do Produto
GaN 50W 100W Módulo de amplificador de RF de alta potência de estado sólido multibanda anti-drone 10MHz-6GHz Módulos amplificadores de potência de RF de estado sólido que utilizam dispositivos LDMOS e GaN em topologias de classe A e classe A/B. Projetados para operação de banda estreita e banda ...

Detalhes do produto

Destacar:

Módulo Amplificador GaN 10MHz-6GHz

,

Módulo Amplificador RF Estado Sólido

,

Módulo Amplificador RF Anti-Drone 100W
Frequency Range: Personalizado
Working Voltage: 28 V
Output Power (Max): ≥47dBm
LED Indicator: Sim
Dimension: 130*58*18mm
Working Temperature: -20°C + 65°C
Gain: 47 ± 1 dB
Ripple In Band: ≤ 3dB
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Fonte de sinal de modulação de ruído de alta velocidade integrada
Descrição do produto
GaN 50W 100W Módulo de amplificador de RF de alta potência de estado sólido multibanda anti-drone 10MHz-6GHz

Módulos amplificadores de potência de RF de estado sólido que utilizam dispositivos LDMOS e GaN em topologias de classe A e classe A/B. Projetados para operação de banda estreita e banda larga nas faixas AM, FM, VHF e UHF,de potência de saída de 0 dBm a mais de 50 dBm- módulos personalizados disponíveis mediante pedido.Oferecemos módulos de amplificador de potência de RF construídos com tecnologia GaN robusta com integração multi-die avançada e fatores de forma compactos com interface de entrada e saída de 50 OhmsProjetados para operação de banda larga e DPD-friendly, eles oferecem alto ganho e eficiência com desempenho térmico robusto.

Destaques do produto
  • Capacidade de Frequência Ampla: 100 MHz ∙ 7,2 GHz assegura uma interferência completa do sinal dos drones
  • Opções de frequência personalizadas: Frequência de trabalho (por exemplo, 5725-5850 MHz) totalmente adaptável às especificações do cliente
  • Ajustabilidade otimizada: A largura de banda e a tensão de funcionamento GaN podem ser ajustadas para obter a máxima eficiência
  • Soluções completas de ODM e OEM: desde o conceito de projeto e prototipagem até ajustes de produção
  • Ciclo de entrega rápido: Envio padrão em 3 ̊10 dias úteis após receção do depósito
  • Opções de pagamento convenientes: T/T, Western Union, PayPal e Cartão de Crédito suportados
  • Envio global confiável: DHL, UPS, TNT, FedEx expresso ou frete marítimo econômico disponível em todo o mundo

 

Porquê transistores GaN?

  • As principais características que tornam o nitreto de gálio uma tecnologia habilitante são a sua densidade de potência significativamente mais elevada e uma maior fiabilidade.O aumento da densidade de potência do GaN (W / mm) permitiu que a Empower reduzisse os tamanhos do amplificador de potênciaCom o aumento da eficiência que a GaN fornece, a Empower RF oferece mais confiabilidade,amplificadores de potência de banda larga menores e mais leves.
  • GaN - mais especificamente GaN em SiC - fornece maior potência de saída, largura de pulso mais longa e ciclos de trabalho maiores e MTTF significativamente maior do que GaN em Si, GaAS HEMT, LDMOS,e transistores de alta potência MOSFET.
  • Voltagens de ruptura superiores de 60 a 80 VBRDSS (100-150 Volts)
  • Densidade de potência mais elevada
  • Conductividade térmica superior
  • Exemplo: LDMOS - dissipação de 12 W/mm2 versus GaN - dissipação de 70 W/mm2
  • Temperaturas de junção mais elevadas > 200°C (+ 225°C a 250°C)
  • Velocidade de deriva de elétrons saturados mais elevada (capacidade de entrega de corrente mais elevada)
  • Capacidade intrínseca mais baixa que proporciona maiores impedanças do dispositivo de entrada/saída, permitindo a correspondência de banda larga
  • O GaN proporciona um elevado ganho e eficiência (banda estreita de 50% a 60%)
  • Eficiência acrescentada de ruído e potência linear superior (PAE)

GaN - mais especificamente GaN em SiC - fornece maior potência de saída, largura de pulso mais longa e ciclos de trabalho maiores e MTTF significativamente maior do que GaN em Si, GaAS HEMT, LDMOS,e transistores de alta potência MOSFET.

Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHzMódulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHzMódulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz
 
Ficha técnica do módulo de 50 W
Dados de RF
Ponto Especificações. Observações
Tensão de funcionamento 28V 24-28V
Corrente de trabalho ≤ 4,2 A Potência de saída: 50 W
Velocidade de varredura analógica 120 KHz/ 8 μs Personalizar
Potência de saída (máximo) 47±1 dBm 50 W
Ganho 47 ± 1 dB  
Ondulação em Banda ≤ 3 dB Pico
Ajuste da largura de banda - Sim, sim. Por parafuso
Ajuste do centro - Sim, sim. Por parafuso
Proteção VSWR Circulador interno Personalizar
Proteção contra a temperatura 75°C Personalizar
Protecção sem carga - Sim, sim. Personalizar
Ativar o controlo Personalizar 3-28V
Fonte de sinal de entrada Fonte de sinal de modulação de ruído de alta velocidade  
VSWR de saída ≤ 2  
Teste de baixa e alta temperatura Temperatura -20°C + 65°C Trabalhando corretamente
Ganhe estabilidade ± 2 dB A -20°C ∼+65°C
Estabilidade de potência ± 2 dB A -20°C ∼+65°C
Portão de alimentação Positivo e negativo (Opcional: Ativar o fio de comando)
Material da concha Alumínio Com processamento polido
Conector de saída de RF SMA-K  
Dimensão 112*37*16 mm Ou personalize
Tamanho do parafuso M2.5  
Peso 230 g Personalizar
Frequências opcionais
- Não, não. Faixa de frequência Potência de saída Tecnologia PA Isolador Dimensões (mm)
Módulo de amplificador de potência RF VCO de 50 W
1 20 ̊100 MHz 50 W SimOS - Não, não. 117×58×16
2 100 ∼ 200 MHz 50 W SimOS - Não, não. 117×40×18 / 117×58×16
3 200 ∼ 300 MHz 50 W SimOS - Não, não. 117×40×18 / 117×58×16
4 300-400 MHz 50 W GaN - Não, não. 117×40×18 / 117×58×16
5 300-400 MHz 50 W LDMOS - Sim, sim. 130×58×18
6 300-400 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 130×58×18
7 400 ∼ 500 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
8 500-600 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
9 600-700 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
10 700-840 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
11 8401020 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
12 1000-1300 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
13 13001500 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
14 1550-1650 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
15 17001900 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
16 19002100 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
17 2400 ∼ 2500 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
18 2575 2690 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
19 3100-3800 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×40×18 / 117×58×16
20 3800×4800 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
21 4800-5000 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
22 5100-5300 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
23 5300-5700 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
24 5700-5850 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
25 5900-6200 MHz 50 W GaN - Sim, sim. 117×58×16
Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz
Imagens de produtos
Módulo Amplificador RF GaN 50W 100W Anti-Drone Banda Múltipla Estado Sólido Alta Potência 10MHz-6GHz

Mr. Jaron

PRODUTOS CONEXOS

Enviar uma Consulta