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品質 GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力 工場
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GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力

基本的な特性
原産地: 中国本土
ブランド名: Roviyno
モデル番号: RAH
取引物件
最小注文数量: 100
価格: $65/pc--$165/pc
支払条件: T/T
供給能力: 500 個未満 10 営業日
札

RF信号電源増幅器

カウンターUAS RFアンプ

ドローンに対するRFPAモジュール
製品概要
GaN 50W 100W 対ドローン マルチバンド ソリッドステート 10MHz-6GHz 高出力RFパワーアンプモジュール LDMOSおよびGaNデバイスを採用したソリッドステートRFパワーアンプモジュール、クラスAおよびクラスA/Bトポロジー。AM、FM、VHF、UHF帯域にわたるナローバンドおよびブロードバンド動作向けに設計されており、0 dBmから50 dBmを超える出力電力を提供します。カスタムモジュールはご要望に応じてご利用いただけます。当社は、堅牢なGaN技術をベースに、高度なマルチダイ統合とコンパクトなフォームファクタを備え、50オームの入出力インターフェースを持つRFパワーア...

製品詳細

ハイライト:

10MHzから6GHzまでのGaNアンプモジュール

,

固体 RF 増幅器 モジュール

,

100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール
Frequency Range: カスタマイズされた
Working Voltage: 28V
Output Power (Max): ≥47dBm
LED Indicator: はい
Dimension: 130×58×18mm
Working Temperature: -20°C+65°C
Gain: 47±1 dB
Ripple In Band: ≤ 3dB
Temperature Protection: 75℃
Input Signal Source: 高速ノイズ変調信号源を内蔵
製品の説明
GaN 50W 100W 対ドローン マルチバンド ソリッドステート 10MHz-6GHz 高出力RFパワーアンプモジュール

LDMOSおよびGaNデバイスを採用したソリッドステートRFパワーアンプモジュール、クラスAおよびクラスA/Bトポロジー。AM、FM、VHF、UHF帯域にわたるナローバンドおよびブロードバンド動作向けに設計されており、0 dBmから50 dBmを超える出力電力を提供します。カスタムモジュールはご要望に応じてご利用いただけます。当社は、堅牢なGaN技術をベースに、高度なマルチダイ統合とコンパクトなフォームファクタを備え、50オームの入出力インターフェースを持つRFパワーアンプモジュールを提供しています。広帯域、DPDフレンドリーな動作向けに設計されており、高いゲインと効率、そして堅牢な熱性能を実現します。

製品ハイライト
  • 広帯域周波数対応：100 MHz～7.2 GHzのカバー範囲により、包括的なドローン信号妨害を実現
  • カスタム周波数オプション：動作周波数（例：5725～5850 MHz）は、顧客仕様に合わせて完全にカスタマイズ可能
  • 最適化された調整性：帯域幅とGaN動作電圧は、最大の効率のために微調整可能
  • 完全なODM＆OEMソリューション：コンセプト設計とプロトタイピングから生産調整まで
  • 迅速な納品サイクル：入金確認後3～10営業日での標準出荷
  • 便利な支払いオプション：T/T、Western Union、PayPal、クレジットカード対応
  • 信頼性の高いグローバル配送：DHL、UPS、TNT、FedExエクスプレスまたは経済的な海上輸送を世界中で利用可能

 

GaNトランジスタを採用する理由

  • 窒化ガリウム（GaN）を画期的な技術たらしめている主な特性は、その著しく高い電力密度と優れた信頼性です。GaNの増加した電力密度（W/mm）により、Empowerはパワーアンプのサイズを縮小し、冷却およびヒートシンクの要求を最小限に抑え、特定の体積により多くの電力を詰め込むことが可能になりました。GaNが提供する効率の向上により、Empower RFはより信頼性が高く、小型で軽量な広帯域パワーアンプを提供します。
  • GaN - 特にSiC上のGaN - は、Si上のGaN、GaAS HEMT、LDMOS、MOSFET高出力トランジスタよりも高い出力電力、長いパルス幅、大きなデューティサイクル、そして著しく高いMTTFを提供します。
  • より高いブレークダウン電圧 60～80 VBRDSS（100～150ボルト）
  • より高い電力密度
  • 優れた熱伝導率
  • 例：LDMOS - 12W/平方mmの放熱 vs. GaN - 70W/平方mmの放熱
  • より高い接合温度 > 200℃（+225℃～250℃）
  • より高い飽和電子ドリフト速度（より高い電流供給能力）
  • より低い固有容量により、より高い入出力インピーダンスが得られ、広帯域マッチングが可能
  • GaNは高ゲインと高効率（ナローバンド 50%～60%）を提供
  • 優れたノイズ＆リニアパワー付加効率（PAE）

GaN - 特にSiC上のGaN - は、Si上のGaN、GaAS HEMT、LDMOS、MOSFET高出力トランジスタよりも高い出力電力、長いパルス幅、大きなデューティサイクル、そして著しく高いMTTFを提供します。

GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力
 
50Wモジュール技術データシート
RFデータ
項目 仕様 備考
動作電圧 28V 24-28V
動作電流 ≤ 4.2A 出力 50W
アナログスイープ速度 120 KHz/ 8μs カスタマイズ
出力電力（最大） 47±1 dBm 50W
ゲイン 47±1 dB  
帯域内リップル ≤ 3 dB ピーク
帯域幅調整 Yes ネジ式
中心調整 Yes ネジ式
VSWR保護 内蔵サーキュレータ カスタマイズ
温度保護 75℃ カスタマイズ
無負荷保護 Yes カスタマイズ
イネーブル制御 カスタマイズ 3-28V
入力信号源 内蔵高速ノイズ変調信号源  
出力VSWR ≤2  
高温・低温試験 温度 -20～+65℃ 正常動作
ゲイン安定性 ±2 dB -20℃～+65℃にて
電力安定性 ±2 dB -20℃～+65℃にて
電源ポート 正負 （オプション：イネーブル制御線）
筐体材質 アルミニウム 研磨加工済み
RF出力コネクタ SMA-K  
寸法 112*37*16 mm またはカスタマイズ
ネジサイズ M2.5  
重量 230g カスタマイズ
オプション周波数
No. 周波数範囲 出力電力 PA技術 アイソレータ 寸法（mm）
50W VCO RFパワーアンプモジュール
1 20～100 MHz 50W SiMOS No 117×58×16
2 100～200 MHz 50W SiMOS No 117×40×18 / 117×58×16
3 200～300 MHz 50W SiMOS No 117×40×18 / 117×58×16
4 300～400 MHz 50W GaN No 117×40×18 / 117×58×16
5 300～400 MHz 50W LDMOS Yes 130×58×18
6 300～400 MHz 50W GaN Yes 130×58×18
7 400～500 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
8 500～600 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
9 600～700 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
10 700～840 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
11 840～1020 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
12 1000～1300 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
13 1300～1500 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
14 1550～1650 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
15 1700～1900 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
16 1900～2100 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
17 2400～2500 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
18 2575～2690 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
19 3100～3800 MHz 50W GaN Yes 117×40×18 / 117×58×16
20 3800～4800 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
21 4800～5000 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
22 5100～5300 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
23 5300～5700 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
24 5700～5850 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
25 5900～6200 MHz 50W GaN Yes 117×58×16
GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力
製品画像
GaN 50W 100W アンチ ドローン RF 増幅機 モジュール マルチバンド 固体状態 10MHz-6GHz 高電力

Mr. Jaron

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