Добро пожаловать в Roviyno Intelligent Technology Co., Limited
+8613534288447
Дом / Продукты / Модуль усилителя мощности RF / GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц
Качество GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц Фабрика
Качество GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц Фабрика
Качество GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц Фабрика
Качество GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц Фабрика
Качество GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц Фабрика

GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц

Основные свойства
Место происхождения: Материковый Китай
Наименование марки: Roviyno
Номер модели: РАГ
Торговая недвижимость
Минимальное количество заказа: 100
Цена: $65/pc--$165/pc
Условия оплаты: Т/Т
Способность к поставкам: <500 шт. 10 рабочих дней
Бирки

Усилитель мощности радиочастотного сигнала

Радиоусилитель противобеспилотных летательных аппаратов

Антидроновый радиочастотный модуль ПА
Резюме продукта
Модуль ВЧ-усилителя GaN 50W 100W против дронов, твердотельный, многодиапазонный, 10 МГц-6 ГГц, высокой мощности Твердотельные модули ВЧ-усилителей мощности, использующие устройства LDMOS и GaN в топологиях класса A и A/B. Разработаны для узкополосной и широкополосной работы в диапазонах AM, FM, VHF ...

Детали продукта

Выделить:

GaN усилитель 10МГц-6ГГц

,

Твердотельный ВЧ-усилитель

,

Противодронный ВЧ-усилитель 100Вт
Frequency Range: Индивидуальные
Working Voltage: 28В
Output Power (Max): ≥47 дБм
LED Indicator: Да
Dimension: 130*58*18 мм
Working Temperature: -20°C+65°C
Gain: 47±1 дБ
Ripple In Band: ≤ 3 дБ
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Встроенный источник сигнала высокоскоростной шумовой модуляции.
Характер продукции
Модуль ВЧ-усилителя GaN 50W 100W против дронов, твердотельный, многодиапазонный, 10 МГц-6 ГГц, высокой мощности

Твердотельные модули ВЧ-усилителей мощности, использующие устройства LDMOS и GaN в топологиях класса A и A/B. Разработаны для узкополосной и широкополосной работы в диапазонах AM, FM, VHF и UHF, обеспечивая выходную мощность от 0 дБм до более 50 дБм. Пользовательские модули доступны по запросу. Мы предлагаем модули ВЧ-усилителей мощности, построенные на надежной технологии GaN с передовой многокристальной интеграцией и компактными форм-факторами, имеющие интерфейс ввода-вывода 50 Ом. Разработанные для широкополосной работы, совместимой с DPD, они обеспечивают высокий коэффициент усиления и эффективность при надежной тепловой производительности.

Основные характеристики продукта
  • Широкие частотные возможности: охват от 100 МГц до 7,2 ГГц обеспечивает комплексное подавление сигналов дронов
  • Опции пользовательской частоты: рабочая частота (например, 5725–5850 МГц) полностью настраивается в соответствии со спецификациями заказчика
  • Оптимизированная регулировка: полоса пропускания и рабочее напряжение GaN могут быть точно настроены для максимальной эффективности
  • Комплексные решения ODM и OEM: от концептуального дизайна и прототипирования до производственных корректировок
  • Быстрый цикл доставки: стандартная отгрузка в течение 3–10 рабочих дней после получения депозита
  • Удобные варианты оплаты: поддерживаются T/T, Western Union, PayPal и кредитная карта
  • Надежная глобальная доставка: экспресс-доставка DHL, UPS, TNT, FedEx или экономичная морская перевозка доступны по всему миру

 

Почему транзисторы GaN?

  • Ключевыми характеристиками, которые делают нитрид галлия перспективной технологией, являются его значительно более высокая плотность мощности и большая надежность. Увеличенная плотность мощности GaN (Вт/мм²) позволила Empower уменьшить размеры усилителей мощности, минимизировать требования к охлаждению и радиаторам, а также упаковать больше мощности в заданный объем. Благодаря повышенной эффективности, которую обеспечивает GaN, Empower RF поставляет более надежные, меньшие по размеру и более легкие широкополосные усилители мощности.
  • GaN – более конкретно GaN на SiC – обеспечивает более высокую выходную мощность, более длительные импульсные длительности, большие коэффициенты заполнения и значительно более высокий MTTF по сравнению с GaN на Si, GaAS HEMT, LDMOS и MOSFET высоковольтными транзисторами.
  • Более высокие напряжения пробоя 60–80 ВБрП (100–150 Вольт)
  • Более высокая плотность мощности
  • Превосходная теплопроводность
  • Пример: LDMOS – рассеивание 12 Вт/кв. мм против GaN – рассеивание 70 Вт/кв. мм
  • Более высокие температуры перехода > 200°C (+225°C до 250°C)
  • Более высокая скорость дрейфа электронов насыщения (более высокая способность к доставке тока)
  • Более низкая собственная емкость, обеспечивающая более высокие входные/выходные импедансы устройства, позволяющие широкополосное согласование
  • GaN обеспечивает высокий коэффициент усиления и эффективность (узкополосный 50%–60%)
  • Превосходный коэффициент добавленной мощности по шуму и линейной мощности (PAE)

GaN – более конкретно GaN на SiC – обеспечивает более высокую выходную мощность, более длительные импульсные длительности, большие коэффициенты заполнения и значительно более высокий MTTF по сравнению с GaN на Si, GaAS HEMT, LDMOS и MOSFET высоковольтными транзисторами.

GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГцGaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГцGaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц
 
Технический паспорт модуля 50 Вт
ВЧ-ДАННЫЕ
Предмет Спецификация. Примечания
Рабочее напряжение 28В 24-28В
Рабочий ток ≤ 4,2А Выход 50 Вт
Скорость аналогового сканирования 120 кГц/8 мкс Настройка
Максимальная выходная мощность 47±1 дБм 50 Вт
Усиление 47±1 дБ  
Пульсации в полосе ≤ 3 дБ Пик
Регулировка полосы пропускания Да С помощью винта
Регулировка центра Да С помощью винта
Защита от КСВ Внутренний циркулятор Настройка
Защита от температуры 75°C Настройка
Защита от холостого хода Да Настройка
Управление включением Настройка 3-28В
Источник входного сигнала Встроенный высокоскоростной источник модуляции шума  
Выходной КСВ ≤2  
Испытание на высокую и низкую температуру Температура -20～+65°C Нормальная работа
Стабильность усиления ±2 дБ При -20°C～+65°C
Стабильность мощности ±2 дБ При -20°C～+65°C
Порт питания Положительный и отрицательный (Опционально: провод управления включением)
Материал корпуса Алюминий С полированной обработкой
Разъем ВЧ-выхода SMA-K  
Размеры 112*37*16 мм Или на заказ
Размер винта M2.5  
Вес 230г Настройка
Дополнительные частоты
№. Диапазон частот Выходная мощность Технология ПА Изолятор Размеры (мм)
Модуль ВЧ-усилителя мощности 50 Вт VCO
1 20–100 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×58×16
2 100–200 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×40×18 / 117×58×16
3 200–300 МГц 50 Вт SiMOS Нет 117×40×18 / 117×58×16
4 300–400 МГц 50 Вт GaN Нет 117×40×18 / 117×58×16
5 300–400 МГц 50 Вт LDMOS Да 130×58×18
6 300–400 МГц 50 Вт GaN Да 130×58×18
7 400–500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
8 500–600 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
9 600–700 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
10 700–840 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
11 840–1020 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
12 1000–1300 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
13 1300–1500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
14 1550–1650 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
15 1700–1900 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
16 1900–2100 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
17 2400–2500 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
18 2575–2690 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
19 3100–3800 МГц 50 Вт GaN Да 117×40×18 / 117×58×16
20 3800–4800 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
21 4800–5000 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
22 5100–5300 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
23 5300–5700 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
24 5700–5850 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
25 5900–6200 МГц 50 Вт GaN Да 117×58×16
GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц
Изображения продукта
GaN 50W 100W Противодронный ВЧ-усилитель Многодиапазонный Твердотельный Высокомощный 10МГц-6ГГц

Mr. Jaron

СОБЩЕННЫЕ ПРОДУКТЫ

Отправить запрос