GaN 50W 100W Modulo amplificatore RF anti drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Alta potenza
Proprietà di base
Luogo di origine:
Cina continentale
Marchio:
Roviyno
Numero di modello:
RAH
Proprietà Commerciali
Quantità di ordine minimo:
100
Prezzo:
$65/pc--$165/pc
Condizioni di pagamento:
T/T
Capacità di approvvigionamento:
<500 pz 10 giorni lavorativi
Riepilogo Prodotto
GaN 50W 100W Modulo amplificatore RF ad alta potenza a 10MHz-6GHz Moduli amplificatori di potenza RF a stato solido che utilizzano dispositivi LDMOS e GaN in topologie di classe A e classe A/B. Progettati per il funzionamento a banda stretta e a banda larga nelle bande AM, FM, VHF e UHF,di potenza ...
Dettagli del prodotto
Evidenziare:
Modulo amplificatore GaN da 10 MHz a 6 GHz
,Modulo amplificatore RF a stato solido
,Modulo amplificatore RF anti-drone da 100 W
Frequency Range:
Personalizzato
Working Voltage:
28 V
Output Power (Max):
≥47 dBm
LED Indicator:
SÌ
Dimension:
130*58*18 mm
Working Temperature:
-20°C + 65°C
Gain:
47 ± 1 dB
Ripple In Band:
≤ 3dB
Temperature Protection:
75 ℃
Input Signal Source:
Sorgente del segnale di modulazione del rumore ad alta velocità integrata
Descrizione di prodotto
GaN 50W 100W Modulo amplificatore RF ad alta potenza a 10MHz-6GHz
Moduli amplificatori di potenza RF a stato solido che utilizzano dispositivi LDMOS e GaN in topologie di classe A e classe A/B. Progettati per il funzionamento a banda stretta e a banda larga nelle bande AM, FM, VHF e UHF,di potenza di uscita da 0 dBm a oltre 50 dBmModuli personalizzati disponibili su richiesta.Offriamo moduli amplificatori di potenza RF costruiti su una robusta tecnologia GaN con un'integrazione multi-die avanzata e fattori di forma compatti con un'interfaccia di ingresso e uscita da 50 OhmProgettati per un funzionamento a banda larga e compatibile con la DPD, offrono un elevato guadagno ed efficienza con robuste prestazioni termiche.
Caratteristiche del prodotto
- Capacità di ampia frequenza: 100 MHz ∙ 7,2 GHz copertura garantisce un completo disturbo del segnale dei droni
- Opzioni di frequenza personalizzate: frequenza di lavoro (ad es. 5725-5850 MHz) completamente personalizzabile alle specifiche del cliente
- Regolabilità ottimizzata: la larghezza di banda e la tensione di funzionamento GaN possono essere regolate per una massima efficienza
- Soluzioni complete di ODM e OEM: dalla progettazione del concetto e della prototipazione agli aggiustamenti di produzione
- Ciclo di consegna rapido: spedizione standard entro 3-10 giorni lavorativi dalla ricezione del deposito
- Opzioni di pagamento convenienti: T/T, Western Union, PayPal e carta di credito supportate
- Trasporti globali affidabili: DHL, UPS, TNT, FedEx express o trasporto marittimo economico disponibile in tutto il mondo
Perché i transistor GaN?
- Le caratteristiche chiave che rendono il nitruro di gallio una tecnologia abilitante sono la sua densità di potenza significativamente superiore e una maggiore affidabilità.L'aumento della densità di potenza del GaN (W/mm) ha permesso a Empower di ridurre le dimensioni degli amplificatori di potenzaCon l'aumento dell'efficienza fornita da GaN, Empower RF offre una maggiore affidabilità.amplificatori di potenza a banda larga più piccoli e più leggeri.
- GaN - più specificamente GaN su SiC - fornisce una potenza di uscita maggiore, larghezze di impulso più lunghe e cicli di lavoro più lunghi e un MTTF significativamente più elevato di GaN su Si, GaAS HEMT, LDMOS,e transistor MOSFET ad alta potenza.
- Voltaggi di rottura superiori da 60 a 80 VBRDSS (100-150 Volt)
- Densità di potenza superiore
- Conduttività termica superiore
- Esempio: LDMOS - dissipazione 12W/mmq vs GaN - dissipazione 70W/mmq
- Temperature di giunzione più elevate > 200°C (+ 225°C a 250°C)
- Velocità di deriva degli elettroni saturi più elevata (capacità di erogazione di corrente più elevata)
- Capacità intrinseca inferiore che fornisce maggiori impedanze del dispositivo di ingresso/uscita che consentono l'abbinamento a banda larga
- GaN fornisce un elevato guadagno ed efficienza (banda ristretta dal 50% al 60%)
- Efficienza aggiunta di rumore e potenza lineare (PAE) superiore
GaN - più specificamente GaN su SiC - fornisce una potenza di uscita maggiore, larghezze di impulso più lunghe e cicli di lavoro più lunghi e un MTTF significativamente più elevato di GaN su Si, GaAS HEMT, LDMOS,e transistor MOSFET ad alta potenza.
Fogli tecnici del modulo da 50 W
DATI RF
| Articolo | Spec. | Commenti | |
|---|---|---|---|
| Voltaggio di funzionamento | 28V | 24-28V | |
| Corrente di lavoro | ≤ 4,2 A | Potenza di uscita 50 W | |
| Velocità di spazzatura analogica | 120 KHz/ 8μ/s | Personalizzare | |
| Potenza di uscita (max) | 47±1 dBm | 50W | |
| Guadagno | 47 ± 1 dB | ||
| Ripple in banda | ≤ 3 dB | Picco | |
| Regolazione della larghezza di banda | - Sì, sì. | Per vite | |
| Regolazione del centro | - Sì, sì. | Per vite | |
| Protezione VSWR | Circolatore interno | Personalizzare | |
| Protezione contro la temperatura | 75°C | Personalizzare | |
| Protezione contro il carico | - Sì, sì. | Personalizzare | |
| Abilitare il controllo | Personalizzare | 3-28V | |
| Sorgente del segnale di ingresso | Fonte di segnale di modulazione del rumore ad alta velocità integrata | ||
| VSWR di uscita | ≤ 2 | ||
| Prova a bassa temperatura alta | Temperatura | -20 ̊+65°C | Lavorare correttamente |
| Guadagnare stabilità | ± 2 dB | A -20°C ∼+65°C | |
| Stabilità di potenza | ± 2 dB | A -20°C ∼+65°C | |
| Porta di alimentazione | Positivo e negativo | (opzionale: attivare il cavo di controllo) | |
| Materiale della conchiglia | Aluminici | di larghezza superiore a 20 cm | |
| Collegamento di uscita RF | SMA-K | ||
| Dimensione | 112*37*16 mm | O personalizzare | |
| Dimensione della vite | M2.5 | ||
| Peso | 230 g | Personalizzare | |
Frequenze facoltative
| - No, no, no, no. | Intervallo di frequenza | Potenza di uscita | Tecnologia PA | Isolatore | Dimensioni (mm) |
|---|---|---|---|---|---|
| Modulo amplificatore di potenza RF VCO da 50 W | |||||
| 1 | 20 ̊100 MHz | 50W | SiMOS | - No, no. | 117×58×16 |
| 2 | 100 ∼ 200 MHz | 50W | SiMOS | - No, no. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 3 | 200-300 MHz | 50W | SiMOS | - No, no. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 4 | 300-400 MHz | 50W | GaN | - No, no. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 5 | 300-400 MHz | 50W | LDMOS | - Sì, sì. | 130×58×18 |
| 6 | 300-400 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 130×58×18 |
| 7 | 400 ∼ 500 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 8 | 500-600 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 9 | 600-700 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 10 | 700-840 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 11 | 8401020 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 12 | 1000-1300 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 13 | 13001500 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 14 | 1550-1650 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 15 | 17001900 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 16 | 19002100 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 17 | 2400 ∼ 2500 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 18 | 25752690 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 19 | 3100-3800 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×40×18 / 117×58×16 |
| 20 | 3800·4800 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
| 21 | 4800 ∼ 5000 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
| 22 | 5100-5300 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
| 23 | 5300-5700 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
| 24 | 5700-5850 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
| 25 | 5900-6200 MHz | 50W | GaN | - Sì, sì. | 117×58×16 |
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