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Qualität GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung Fabrik
Qualität GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung Fabrik
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GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung

Grundlegende Eigenschaften
Herkunftsort: Chinesisches Festland
Markenbezeichnung: Roviyno
Modellnummer: RAH
Immobilienhandel
Mindestbestellmenge: 100
Preis: $65/pc--$165/pc
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsfähigkeit: <500 Stück 10 Werktage
Umbauten

Funksignal-Leistungsverstärker

Gegen-UAS-HF-Verstärker

Anti-Drohnen-HF-PA-Modul
Produktübersicht
GaN 50W 100W Anti-Drone Multi-Band Solid-State 10MHz-6GHz Hochleistungs-HF-Verstärkermodul Festkörper-HF-Leistungsverstärkermodule, die LDMOS- und GaN-Geräte in Topologien der Klasse A und Klasse A/B verwenden.mit einer Leistung von 0 dBm bis über 50 dBm- Module auf Anfrage erhältlich.Wir bieten HF...

Produktdetails

Hervorheben:

10MHz-6GHz GaN-Verstärkermodul

,

Festkörper-HF-Verstärkermodul

,

100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul
Frequency Range: Maßgeschneidert
Working Voltage: 28V
Output Power (Max): ≥47 dBm
LED Indicator: Ja
Dimension: 130*58*18 mm
Working Temperature: -20°C + 65°C
Gain: 47 ± 1 dB
Ripple In Band: ≤ 3 dB
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Integrierte Hochgeschwindigkeits-Rauschmodulationssignalquelle
Produkt-Beschreibung
GaN 50W 100W Anti-Drone Multi-Band Solid-State 10MHz-6GHz Hochleistungs-HF-Verstärkermodul

Festkörper-HF-Leistungsverstärkermodule, die LDMOS- und GaN-Geräte in Topologien der Klasse A und Klasse A/B verwenden.mit einer Leistung von 0 dBm bis über 50 dBm- Module auf Anfrage erhältlich.Wir bieten HF-Leistungsverstärkermodule an, die auf robuster GaN-Technologie basieren, mit fortschrittlicher Multi-Die-Integration und kompakten Formfaktoren mit 50 Ohm Eingangs- und AusgangsoberflächeSie sind für breitbandfreundlichen DPD-Betrieb konzipiert und bieten hohen Gewinn und Effizienz bei robuster thermischer Leistung.

Produkthinweise
  • Breitfrequenzfähigkeiten: 100 MHz ∙ 7,2 GHz-Abdeckung sorgt für eine umfassende Störung der Drohnensignale
  • Benutzerdefinierte Frequenzoptionen: Betriebsfrequenz (z. B. 5725-5850 MHz) vollständig an die Kundenspezifikationen angepasst
  • Optimierte Einstellbarkeit: Bandbreite und GaN-Betriebsspannung können für maximale Effizienz fein abgestimmt werden
  • Komplete ODM- und OEM-Lösungen: Von Konzeptdesign und Prototyping bis hin zu Produktionsanpassungen
  • Schnelle Lieferzeiten: Standardversand innerhalb von 3~10 Werktagen nach Eingang der Kaution
  • Bequeme Zahlungsmöglichkeiten: T/T, Western Union, PayPal und Kreditkarte unterstützt
  • Zuverlässiger weltweiter Versand: DHL, UPS, TNT, FedEx Express oder kostengünstige Seefracht weltweit verfügbar

 

Warum GaN-Transistoren?

  • Die wichtigsten Merkmale, die Galliumnitrid zu einer fördernden Technologie machen, sind seine deutlich höhere Leistungsdichte und seine größere Zuverlässigkeit.Die erhöhte Leistungsdichte (W/mm) von GaN hat es Empower ermöglicht, die Leistungsverstärkergrößen zu reduzierenMit den erhöhten Effizienzsteigerungen, die GaN bietet, liefert Empower RF zuverlässiger,kleinere und leichtere Breitband-Leistungsverstärker.
  • GaN - genauer gesagt GaN auf SiC - liefert eine höhere Ausgangsleistung, längere Impulsbreiten und größere Arbeitszyklen und eine deutlich höhere MTTF als GaN auf Si, GaAS HEMT, LDMOS,mit einer Leistung von mehr als 50 W und.
  • Höhere Ausfallspannungen 60 bis 80 VBRDSS (100-150 Volt)
  • Höhere Leistungsdichte
  • Überlegene Wärmeleitfähigkeit
  • Beispiel: LDMOS - 12 W/m2 Verlust im Vergleich zu GaN - 70 W/m2 Verlust im Vergleich zu GaN
  • Höhere Kreuzungstemperaturen > 200 °C (+ 225 °C bis 250 °C)
  • Höhere Geschwindigkeit der gesättigten Elektronenverschiebung (höhere Stromlieferfähigkeit)
  • Niedrigere Eigenkapazität, die höhere Ein-/Ausgangsimpedanzen ermöglicht und Breitband-Matching ermöglicht
  • GaN bietet hohe Gewinn- und Effizienzwerte (enges Band 50% bis 60%)
  • Überlegene Lärm- und lineare Leistungseffizienz (PAE)

GaN - genauer gesagt GaN auf SiC - liefert eine höhere Ausgangsleistung, längere Impulsbreiten und größere Arbeitszyklen und eine deutlich höhere MTTF als GaN auf Si, GaAS HEMT, LDMOS,mit einer Leistung von mehr als 50 W und.

GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz HochleistungGaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz HochleistungGaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung
 
Technisches Datenblatt für Module mit 50 Watt
HF-Daten
Artikel Spezifikationen. Anmerkungen
Betriebsspannung 28 V 24 bis 28 V
Betriebsstrom ≤ 4,2 A Leistung 50 W
Analog-Feiergeschwindigkeit 120 KHz/8 μs Anpassen
Ausgangsleistung (maximal) 47 ± 1 dBm 50 W
Gewinn 47 ± 1 dB  
Ripple in Band ≤ 3 dB Höchststand
Anpassung der Bandbreite - Ja, das ist es. Durch Schraube
Zentrumsanpassung - Ja, das ist es. Durch Schraube
VSWR-Schutz Innerer Kreislauf Anpassen
Temperaturschutz 75°C Anpassen
Schutz gegen Belastungen - Ja, das ist es. Anpassen
Steuerung aktivieren Anpassen 3 bis 28 V
Eingangssignalquelle Eingebaute Signalquelle für die Schallmodulation mit hoher Geschwindigkeit  
Ausgang VSWR ≤ 2  
Hohe Niedertemperaturprüfung Temperatur -20°C + 65°C Funktioniert richtig
Stabilität gewinnen ±2 dB Bei -20°C+65°C
Leistungsstabilität ±2 dB Bei -20°C+65°C
Stromversorgung Positiv und negativ (Optional: Steuerleitung aktivieren)
Muscheldrüsen Aluminium mit einem Gehalt an Zellstoff von mehr als 0,5%
HF-Ausgangsanschluss SMA-K  
Abmessung 112*37*16 mm Oder anpassen
Schraubgröße M2.5  
Gewicht 230 g Anpassen
Frequenzen Optional
- Nein. Ich weiß nicht. Frequenzbereich Ausgangsleistung PA-Technologie Isolator Abmessungen (mm)
50W VCO-HF-Leistungsverstärkermodul
1 20 ̊100 MHz 50 W SiMOS - Nein. 117 × 58 × 16
2 100 ∼ 200 MHz 50 W SiMOS - Nein. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
3 200-300 MHz 50 W SiMOS - Nein. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
4 300 ∼ 400 MHz 50 W GaN - Nein. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
5 300 ∼ 400 MHz 50 W LDMOS - Ja, das ist es. 130 × 58 × 18
6 300 ∼ 400 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 130 × 58 × 18
7 400 ∼ 500 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
8 500-600 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
9 600-700 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
10 700-840 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
11 840 ∼ 1020 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
12 1000 ∼ 1300 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
13 1300 ∼ 1500 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
14 1550­1650 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
15 1700~1900 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
16 1900~2100 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
17 2400~2500 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
18 2575­2690 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
19 3100~3800 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16
20 3800­4800 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
21 4800-5000 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
22 5100-5300 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
23 5300-5700 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
24 5700-5850 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
25 5900 ∼ 6200 MHz 50 W GaN - Ja, das ist es. 117 × 58 × 16
GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung
Produktbilder
GaN 50W 100W Anti-Drohnen-HF-Verstärkermodul Mehrband Festkörper 10MHz-6GHz Hochleistung

Mr. Jaron

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