GaN 50W 100W Anti Drone RF Versterker Module Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Hoog vermogen
Basiseigenschappen
Plaats van herkomst:
China vasteland
Merknaam:
Roviyno
Modelnummer:
RAH
Handelsgoederen
Minimale bestelhoeveelheid:
100
Prijs:
$65/pc--$165/pc
Betalingsvoorwaarden:
T/T
Toeleveringsvermogen:
<500 stuks 10 werkdagen
Productoverzicht
GaN 50W 100W Anti-Drone Multi-Band Solid-State 10MHz-6GHz High-Power RF Versterkermodule Solid-state RF-versterkermodules met LDMOS- en GaN-apparaten in topologieën van klasse A en klasse A/B. Ontworpen voor smalband- en breedbandoperaties in AM-, FM-, VHF- en UHF-banden,met een uitgangsvermogen van ...
Productdetails
Markeren:
GaN-versterkermodule van 10 MHz-6 GHz
,Solid State RF Versterkermodule
,100W anti-drone RF versterker module
Frequency Range:
Aangepast
Working Voltage:
28V
Output Power (Max):
≥47 dBm
LED Indicator:
Ja
Dimension:
130*58*18 mm
Working Temperature:
-20 ̊+65°C
Gain:
47 ± 1 dB
Ripple In Band:
≤ 3 dB
Temperature Protection:
75 ℃
Input Signal Source:
Ingebouwde signaalbron voor hoge snelheidsruismodulatie
Productomschrijving
GaN 50W 100W Anti-Drone Multi-Band Solid-State 10MHz-6GHz High-Power RF Versterkermodule
Solid-state RF-versterkermodules met LDMOS- en GaN-apparaten in topologieën van klasse A en klasse A/B. Ontworpen voor smalband- en breedbandoperaties in AM-, FM-, VHF- en UHF-banden,met een uitgangsvermogen van 0 dBm tot meer dan 50 dBmOp aanvraag beschikbaar zijn aangepaste modules.We bieden RF Power Amplifier Modules gebouwd op robuuste GaN-technologie met geavanceerde multi-die integratie en compacte vormfactoren met 50 Ohm input en output interfaceZe zijn ontworpen voor breedband, DPD-vriendelijke werking en leveren een hoge winst en efficiëntie met robuuste thermische prestaties.
Hoogtepunten
- Breedfrequentiekapaciteit: 100 MHz ∙ 7,2 GHz-dekking zorgt voor een uitgebreide verstoring van het drone-signaal
- Opties voor aangepaste frequenties: Werkfrequentie (bv. 5725-5850 MHz) volledig aanpasbaar aan de specificaties van de klant
- Geoptimaliseerde instelbaarheid: bandbreedte en GaN-operatiespanning kunnen voor maximale efficiëntie worden verfijnd
- Complete ODM & OEM-oplossingen: van conceptontwerp en prototyping tot productieaanpassingen
- Rapide leveringscyclus: standaardzending binnen 3 ̊10 werkdagen na ontvangst van de borg
- Gemakkelijke betaalopties: T/T, Western Union, PayPal en creditcard ondersteund
- Betrouwbare wereldwijde verzending: DHL, UPS, TNT, FedEx express of zuinige zeevracht wereldwijd beschikbaar
Waarom GaN-transistors?
- De belangrijkste kenmerken die galliumnitrium tot een gunstige technologie maken, zijn de aanzienlijk hogere vermogendichtheid en grotere betrouwbaarheid.De verhoogde vermogendichtheid (W/mm) van GaN heeft Empower in staat gesteld om de vermogenversterkergroottes te verminderenMet de toegenomen efficiëntie die GaN biedt, levert Empower RF betrouwbaarder, efficiënter en efficiënter.kleinere en lichtere breedbandversterkers.
- GaN - meer specifiek GaN op SiC - biedt een hoger uitgangsvermogen, langere pulsbreedten en grotere werkcycli en een aanzienlijk hogere MTTF dan GaN op Si, GaAS HEMT, LDMOS,en MOSFET-transistoren met een hoog vermogen.
- Hoger breukspanningen 60 tot 80 VBRDSS (100-150 Volt)
- Hoger vermogen
- Superieure warmtegeleidbaarheid
- Voorbeeld: LDMOS - 12W/sq. mm dissipatie versus GaN - 70W/sq. mm dissipatie
- Hoogere kruisingstemperaturen > 200 °C (+ 225 °C tot 250 °C)
- Hoger verzadigde elektronendrift snelheid (hogere stroomleveringsvermogen)
- Een lagere intrinsieke capaciteit die hogere impedanties van het invoer-/uitvoerapparaat biedt waardoor breedbandmatching mogelijk is
- GaN zorgt voor een hoge winst en efficiëntie (smarte band 50% tot 60%)
- Superieur geluids- en lineair vermogen toegevoegde efficiëntie (PAE)
GaN - meer specifiek GaN op SiC - biedt een hoger uitgangsvermogen, langere pulsbreedten en grotere werkcycli en een aanzienlijk hogere MTTF dan GaN op Si, GaAS HEMT, LDMOS,en MOSFET-transistoren met een hoog vermogen.
Technisch gegevensblad van de 50W-module
RF-gegevens
| Artikel 1 | Specificaties. | Opmerkingen | |
|---|---|---|---|
| Werkspanning | 28V | 24-28V | |
| Werkstroom | ≤ 4,2 A | Uitgang 50W | |
| Analoog veegsnelheid | 120 kHz/8 μs | Aanpassen | |
| Uitgangsvermogen (max) | 47±1 dBm | 50 W | |
| Gewin | 47 ± 1 dB | ||
| Ripple in Band | ≤ 3 dB | Hoogte | |
| Bandbreedte aanpassing | - Ja, dat klopt. | Met schroef | |
| Centrale aanpassing | - Ja, dat klopt. | Met schroef | |
| VSWR-bescherming | Interne circulator | Aanpassen | |
| Temperatuurbescherming | 75°C | Aanpassen | |
| Bescherming tegen belasting | - Ja, dat klopt. | Aanpassen | |
| Beheersing inschakelen | Aanpassen | 3-28V | |
| Invoersignalen | Ingebouwde signaalbron voor geluidsmodulatie met hoge snelheid | ||
| Uitgang VSWR | ≤ 2 | ||
| Hoge-laagtemperatuurtest | Temperatuur | -20 ̊+65°C | Goed werken |
| Stabiliteit verkrijgen | ± 2 dB | Bij -20°C ∼+65°C | |
| Vermogensstabiliteit | ± 2 dB | Bij -20°C ∼+65°C | |
| Stroomvoorziening | Positief en negatief | (Optioneel: aansturing van de besturingsleiding) | |
| Schelpenmateriaal | Aluminium | met polishverwerking | |
| RF-uitgangsconnector | SMA-K | ||
| Afmeting | 112*37*16 mm | Of aanpassen | |
| Grootte van de schroef | M2.5 | ||
| Gewicht | 230 g | Aanpassen | |
Frequenties Facultatief
| - Nee, dat is niet waar. | Frequentiebereik | Uitgangsvermogen | PA-technologie | Isolator | Afmetingen (mm) |
|---|---|---|---|---|---|
| 50W VCO RF-versterker | |||||
| 1 | 20 ̊100 MHz | 50 W | SiMOS | - Nee, niet echt. | 117x58x16 |
| 2 | 100 ∼ 200 MHz | 50 W | SiMOS | - Nee, niet echt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 3 | 200 ∼ 300 MHz | 50 W | SiMOS | - Nee, niet echt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 4 | 300 ∼ 400 MHz | 50 W | GaN | - Nee, niet echt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 5 | 300 ∼ 400 MHz | 50 W | LDMOS | - Ja, dat klopt. | 130×58×18 |
| 6 | 300 ∼ 400 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 130×58×18 |
| 7 | 400 ∼ 500 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 8 | 500-600 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 9 | 600-700 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 10 | 700-840 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 11 | 8401020 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 12 | 1000-1300 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 13 | 13001500 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 14 | 15501650 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 15 | 1700 ∼ 1900 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 16 | 1900 ∼ 2100 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 17 | 2400 ∼ 2500 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 18 | 25752690 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 19 | 3100~3800 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117 × 40 × 18 / 117 × 58 × 16 |
| 20 | 3800×4800 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
| 21 | 4800-5000 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
| 22 | 5100-5300 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
| 23 | 5300-5700 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
| 24 | 5700-5850 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
| 25 | 5900-6200 MHz | 50 W | GaN | - Ja, dat klopt. | 117x58x16 |
Afbeeldingen van producten
Verwante producten
-
Zeer betrouwbare 8-kanaals anti-spoof GNSS-navigatiemodule voor de defensie
What is GPS/GNSS jamming? GPS/GNSS jamming happens when weak satellite signals are disrupted by stronger radio signals on the same or nearby frequencies. Because GNSS signals travel from satellites far away in orbit, they are very weak and easy to overpower. What is Anti Jamming GNSS Systems? Anti ... -
Draagbare navigatiesignaalmodule 4 7 13 22 Multi-Channel Mode Guidance GNSS Spoofing Module
Portable Navigation Signal Module 4/7/13/22 Channel Multi-Mode Guidance GNSS Spoofing Module What is GPS/GNSS jamming? GPS/GNSS jamming happens when weak satellite signals are disrupted by stronger radio signals on the same or nearby frequencies. Because GNSS signals travel from satellites far away ... -
4 kanaal lichtgewicht BDS GPS GLONASS Galileo Navigatie Spoofing Signal Source
4-Channel Lightweight BDS GPS GLONASS Galileo Navigation Spoofing Signal Source What is GPS/GNSS jamming? In an era where GNSS reliability is threatened by jamming and spoofing, ensuring the resilience of navigation systems is critical. For applications like reference networks and drone surveillance... -
4 Frequentiepunten GNSS Anti Drone Spoofing Module Counter UAS Module
4 Frequency Points Gnss Anti Drone Spoofing Module Anti-Drone Module Product Specification Parameter Specification Input Voltage DC 9V ~ 18V Power Consumption (Standby) ≤ 5 W Power Consumption (Max Tx) ≤ 9 W Operating Temperature –30°C ~ +70°C Storage Temperature –40°C ~ +80°C GNSS Reception Bands ...
