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Calidad GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia Fábrica
Calidad GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia Fábrica
Calidad GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia Fábrica
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GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia

Propiedades básicas
Lugar de origen: China continental
Nombre de la marca: Roviyno
Número de modelo: HRA
Propiedades comerciales
Cantidad mínima de pedido: 100
Precio: $65/pc--$165/pc
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de suministro: <500 unidades 10 días laborables
Etiquetas

Amplificador de potencia de señal de RF

Amplificador de RF de UAS contador

Modulo de PA de RF anti-drones
Resumen del producto
Módulo amplificador de RF de estado sólido GaN de 50W y 100W anti-dron multibanda de 10 MHz-6 GHz de alta potencia Módulos amplificadores de potencia de RF de estado sólido que emplean dispositivos LDMOS y GaN en topologías de Clase A y Clase A/B. Diseñados para operación de banda estrecha y banda ...

Detalles del producto

Resaltar:

Modulo de amplificador GaN de 10 MHz a 6 GHz

,

Módulo de amplificador de RF de estado sólido

,

Modulo de amplificador de RF anti-drones de 100W
Frequency Range: Personalizado
Working Voltage: 28V
Output Power (Max): ≥47dBm
LED Indicator: Sí
Dimension: 130*58*18mm
Working Temperature: -20 ̊ + 65 °C
Gain: 47 ± 1 dB
Ripple In Band: ≤ 3dB
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Fuente de señal de modulación de ruido de alta velocidad incorporada
Descripción de producto
Módulo amplificador de RF de estado sólido GaN de 50W y 100W anti-dron multibanda de 10 MHz-6 GHz de alta potencia

Módulos amplificadores de potencia de RF de estado sólido que emplean dispositivos LDMOS y GaN en topologías de Clase A y Clase A/B. Diseñados para operación de banda estrecha y banda ancha en las bandas AM, FM, VHF y UHF, entregando potencia de salida de 0 dBm a más de 50 dBm. Módulos personalizados disponibles bajo pedido. Ofrecemos módulos amplificadores de potencia de RF construidos sobre tecnología GaN robusta con integración avanzada de múltiples chips y factores de forma compactos con interfaz de entrada y salida de 50 Ohms. Diseñados para operación de banda ancha, compatibles con DPD, ofrecen alta ganancia y eficiencia con un rendimiento térmico robusto.

Puntos destacados del producto
  • Amplia capacidad de frecuencia: cobertura de 100 MHz - 7.2 GHz asegura una interferencia integral de señales de drones
  • Opciones de frecuencia personalizadas: frecuencia de trabajo (por ejemplo, 5725-5850 MHz) totalmente personalizable según las especificaciones del cliente
  • Ajustabilidad optimizada: el ancho de banda y el voltaje de operación de GaN se pueden ajustar finamente para una máxima eficiencia
  • Soluciones ODM y OEM completas: desde el diseño conceptual y la creación de prototipos hasta los ajustes de producción
  • Ciclo de entrega rápido: envío estándar en 3-10 días hábiles después de la recepción del depósito
  • Opciones de pago convenientes: se admiten T/T, Western Union, PayPal y tarjeta de crédito
  • Envío global confiable: DHL, UPS, TNT, FedEx express o flete marítimo económico disponible en todo el mundo

 

¿Por qué transistores GaN?

  • Las características clave que hacen del nitruro de galio una tecnología habilitadora son su densidad de potencia significativamente mayor y su mayor confiabilidad. La mayor densidad de potencia (W/mm) de GaN ha permitido a Empower reducir el tamaño de los amplificadores de potencia, minimizar las demandas de enfriamiento y disipación de calor y empaquetar más potencia por volumen dado. Con las mayores eficiencias que proporciona GaN, Empower RF ofrece amplificadores de potencia de banda ancha más confiables, pequeños y ligeros.
  • GaN -más específicamente GaN sobre SiC- proporciona mayor potencia de salida, anchos de pulso más largos y ciclos de trabajo más grandes y un MTTF significativamente mayor que los transistores de alta potencia GaN sobre Si, GaAS HEMT, LDMOS y MOSFET.
  • Mayores voltajes de ruptura de 60 a 80 VBRDSS (100-150 Voltios)
  • Mayor densidad de potencia
  • Conductividad térmica superior
  • Ejemplo: LDMOS - 12W/mm² de disipación vs. GaN - 70W/mm² de disipación
  • Mayores temperaturas de unión > 200°C (+225°C a 250°C)
  • Mayor velocidad de deriva de electrones saturados (mayor capacidad de entrega de corriente)
  • Menor capacitancia intrínseca que proporciona impedancias de dispositivo de entrada/salida más altas, lo que permite una adaptación de banda ancha
  • GaN proporciona alta ganancia y eficiencias (banda estrecha 50% a 60%)
  • Eficiencia superior de ruido y potencia lineal añadida (PAE)

GaN -más específicamente GaN sobre SiC- proporciona mayor potencia de salida, anchos de pulso más largos y ciclos de trabajo más grandes y un MTTF significativamente mayor que los transistores de alta potencia GaN sobre Si, GaAS HEMT, LDMOS y MOSFET.

GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potenciaGaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potenciaGaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia
 
Hoja de datos técnicos del módulo de 50W
DATOS DE RF
Artículo Especificación. Observaciones
Voltaje de trabajo 28V 24-28V
Corriente de trabajo ≤ 4.2A Salida 50W
Velocidad de barrido analógico 120 KHz/ 8μ/s Personalizar
Potencia de salida (máx.) 47±1 dBm 50W
Ganancia 47±1 dB  
Rizado en banda ≤ 3 dB Pico
Ajuste de ancho de banda Sí Mediante tornillo
Ajuste de centro Sí Mediante tornillo
Protección VSWR Circulador interno Personalizar
Protección de temperatura 75°C Personalizar
Protección sin carga Sí Personalizar
Control de habilitación Personalizar 3-28V
Fuente de señal de entrada Fuente de señal de modulación de ruido de alta velocidad incorporada  
VSWR de salida ≤2  
Prueba de alta y baja temperatura Temperatura -20～+65°C Funcionamiento correcto
Estabilidad de ganancia ±2 dB A -20°C～+65°C
Estabilidad de potencia ±2 dB A -20°C～+65°C
Puerto de alimentación Positivo y negativo (Opcional: cable de control de habilitación)
Material de la carcasa Aluminio Con procesamiento de pulido
Conector de salida de RF SMA-K  
Dimensión 112*37*16 mm O personalizar
Tamaño del tornillo M2.5  
Peso 230g Personalizar
Frecuencias opcionales
No. Rango de frecuencia Potencia de salida Tecnología PA Aislador Dimensiones (mm)
Módulo amplificador de potencia de RF VCO de 50W
1 20–100 MHz 50W SiMOS No 117×58×16
2 100–200 MHz 50W SiMOS No 117×40×18 / 117×58×16
3 200–300 MHz 50W SiMOS No 117×40×18 / 117×58×16
4 300–400 MHz 50W GaN No 117×40×18 / 117×58×16
5 300–400 MHz 50W LDMOS Sí 130×58×18
6 300–400 MHz 50W GaN Sí 130×58×18
7 400–500 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
8 500–600 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
9 600–700 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
10 700–840 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
11 840–1020 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
12 1000–1300 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
13 1300–1500 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
14 1550–1650 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
15 1700–1900 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
16 1900–2100 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
17 2400–2500 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
18 2575–2690 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
19 3100–3800 MHz 50W GaN Sí 117×40×18 / 117×58×16
20 3800–4800 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
21 4800–5000 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
22 5100–5300 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
23 5300–5700 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
24 5700–5850 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
25 5900–6200 MHz 50W GaN Sí 117×58×16
GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia
Imágenes del producto
GaN 50W 100W módulo de amplificador de RF anti drones de banda múltiple estado sólido 10MHz-6GHz de alta potencia

Mr. Jaron

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