Καλώς ήρθατε στο Roviyno Intelligent Technology Co., Limited
+8613534288447
Σπίτι / Προϊόντα / Μονάδα ενισχυτή ισχύος ραδιοκυμάτων / GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς
Ποιότητα GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς Εργοστάσιο
Ποιότητα GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς Εργοστάσιο
Ποιότητα GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς Εργοστάσιο
Ποιότητα GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς Εργοστάσιο
Ποιότητα GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς Εργοστάσιο

GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς

Βασικές ιδιότητες
Τόπος προέλευσης: Ηπειρωτική Κίνα
Ονομασία μάρκας: Roviyno
Αριθμός μοντέλου: ΑΡΑ
Εμπορικά Ακίνητα
Ελάχιστη ποσότητα παραγγελίας: 100
Τιμή: $65/pc--$165/pc
Όροι πληρωμής: T/T
Ικανότητα εφοδιασμού: <500 τμχ 10 εργάσιμες ημέρες
Ετικέττες

RF Signal Power Amplifier

Counter UAS RF Amplifier

Anti Drone RF PA Module
Σύνοψη του προϊόντος
GaN 50W 100W Αντιδρόμιο Πολυσύνδεσης Στερεάς Κατάστασης 10MHz-6GHz Υψηλής Δυναμικότητας Ραδιοσυχνοποιητής Μονούλης Μονούλες ενισχυτών ισχύος ραδιοσυχνοτήτων στερεής κατάστασης που χρησιμοποιούν συσκευές LDMOS και GaN σε τοπολογίες κλάσης A και κλάσης A/B. Κατασκευασμένες για λειτουργία στενής ζώνης ...

Λεπτομέρειες προιόντος

Επισημαίνω:

Μονάδα ενισχυτή GaN 10MHz-6GHz

,

Μονάδα ενισχυτή RF στερεής κατάστασης

,

Μονάδα ενισχυτή ραδιοσυχνοτήτων 100W
Frequency Range: Προσαρμοσμένο
Working Voltage: 28V
Output Power (Max): ≥47 dBm
LED Indicator: Ναί
Dimension: 130*58*18 χλστ
Working Temperature: -20°+65°C
Gain: 47±1 dB
Ripple In Band: ≤ 3 dB
Temperature Protection: 75 ℃
Input Signal Source: Ενσωματωμένη πηγή σήματος διαμόρφωσης θορύβου υψηλής ταχύτητας
Περιγραφή προϊόντων
GaN 50W 100W Αντιδρόμιο Πολυσύνδεσης Στερεάς Κατάστασης 10MHz-6GHz Υψηλής Δυναμικότητας Ραδιοσυχνοποιητής Μονούλης

Μονούλες ενισχυτών ισχύος ραδιοσυχνοτήτων στερεής κατάστασης που χρησιμοποιούν συσκευές LDMOS και GaN σε τοπολογίες κλάσης A και κλάσης A/B. Κατασκευασμένες για λειτουργία στενής ζώνης και ευρυζωνικής ζώνης στις ζώνες AM, FM, VHF και UHF,που παρέχουν ισχύ εξόδου από 0 dBm έως πάνω από 50 dBmΠροσαρμοσμένες ενότητες διαθέσιμες κατόπιν αιτήματος.Προσφέρουμε RF Power Amplifier Modules κατασκευασμένες με ισχυρή τεχνολογία GaN με προηγμένη ολοκλήρωση πολλαπλών διασταυρώσεων και συμπαγείς συντελεστές φόρμας που έχουν 50 Ωμ εισόδου και εξόδου διεπαφήςΈχουν σχεδιαστεί για ευρυζωνική λειτουργία, φιλική προς το DPD, παρέχουν υψηλό κέρδος και αποτελεσματικότητα με ισχυρή θερμική απόδοση.

Σημαντικά σημεία του προϊόντος
  • Ικανότητα ευρείας συχνότητας: 100 MHz ∙ 7,2 GHz κάλυψη εξασφαλίζει ολοκληρωμένη παρεμβολή σήματος drone
  • Προσαρμοσμένες επιλογές συχνότητας: συχνότητα εργασίας (π.χ. 5725-5850 MHz) πλήρως προσαρμόσιμη στις προδιαγραφές του πελάτη
  • Βελτιωμένη προσαρμοστικότητα: Το εύρος ζώνης και η τάση λειτουργίας GaN μπορούν να ρυθμιστούν για τη μέγιστη απόδοση
  • Πλήρεις λύσεις ODM & OEM: Από το σχεδιασμό και την κατασκευή πρωτοτύπων μέχρι τις προσαρμογές παραγωγής
  • Γρήγορος κύκλος παράδοσης: Τυπική αποστολή εντός 3-10 εργάσιμων ημερών από την παραλαβή της κατάθεσης
  • Εύκολες επιλογές πληρωμής: Υποστηρίζεται T/T, Western Union, PayPal και πιστωτική κάρτα
  • Αξιόπιστη Παγκόσμια Μεταφορά: DHL, UPS, TNT, FedEx express ή οικονομική θαλάσσια μεταφορά διαθέσιμη σε όλο τον κόσμο

 

Γιατί τα τρανζίστορ GaN;

  • Τα βασικά χαρακτηριστικά που καθιστούν το νιτρικό γάλλιο μια τεχνολογία που επιτρέπει είναι η σημαντικά υψηλότερη πυκνότητα ισχύος και η μεγαλύτερη αξιοπιστία.Η αυξημένη πυκνότητα ισχύος του GaN (W / mm) επέτρεψε στην Empower να μειώσει τα μεγέθη των ενισχυτών ισχύοςΜε τις αυξημένες αποδοτικότητες που παρέχει το GaN, το Empower RF παρέχει πιο αξιόπιστη, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική, πιο αποτελεσματική.μικρότερα και ελαφρύτερα ενισχυτές ισχύος ευρυζωνικής σύνδεσης.
  • Το GaN - πιο συγκεκριμένα το GaN στο SiC - παρέχει μεγαλύτερη ισχύ εξόδου, μεγαλύτερα πλάτη παλμών και μεγαλύτερους κύκλους εργασίας και σημαντικά υψηλότερο MTTF από το GaN στο Si, GaAS HEMT, LDMOS,και MOSFET υψηλής ισχύος τρανζίστορες.
  • Υψηλότερες τάσεις διακοπής 60 έως 80 VBRDSS (100-150 Volts)
  • Μεγαλύτερη πυκνότητα ισχύος
  • Ανώτερη θερμική αγωγιμότητα
  • Παράδειγμα: LDMOS - 12W/sq. mm διάσπαση έναντι GaN - 70W/sq. mm διάσπαση
  • Υψηλότερες θερμοκρασίες διασταύρωσης > 200°C (+ 225°C έως 250°C)
  • Μεγαλύτερη ταχύτητα παράτασης κορεσμένων ηλεκτρονίων (υψηλότερη ικανότητα παροχής ρεύματος)
  • Μικρότερη εγγενής χωρητικότητα που παρέχει υψηλότερες αντιδράσεις συσκευών εισόδου/εξόδου που επιτρέπουν την αντιστοίχιση ευρυζωνικών
  • Το GaN παρέχει υψηλό κέρδος και αποτελεσματικότητα (Μικρή ζώνη 50% έως 60%)
  • Υψηλότερη ηχητική και γραμμική προστιθέμενη απόδοση ισχύος (PAE)

Το GaN - πιο συγκεκριμένα το GaN στο SiC - παρέχει μεγαλύτερη ισχύ εξόδου, μεγαλύτερα πλάτη παλμών και μεγαλύτερους κύκλους εργασίας και σημαντικά υψηλότερο MTTF από το GaN στο Si, GaAS HEMT, LDMOS,και MOSFET υψηλής ισχύος τρανζίστορες.

GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύςGaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύςGaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς
 
Τεχνικό δελτίο δεδομένων 50W μονάδας
ΔΕΤΑ RF
Άρθρο Ειδικότητα. Παρατηρήσεις
Εργασιακή τάση 28V 24-28V
ρεύμα λειτουργίας ≤ 4,2A Έξοδος 50W
Ταχύτητα ανάλογης σαρώσεως 120 KHz/ 8μ/s Προσαρμόστε
Δύναμη εξόδου (μέγιστη) 47±1 dBm 50W
Κέρδος 47 ± 1 dB  
Κύκλος σε ζώνη ≤ 3 dB Πύργος
Ρυθμίσεις εύρους ζώνης - Ναι, ναι. Με βίδα
Ρυθμίσεις κέντρου - Ναι, ναι. Με βίδα
Προστασία VSWR Εσωτερικός κυκλοφοριακός μηχανισμός Προσαρμόστε
Προστασία από θερμοκρασία 75°C Προσαρμόστε
Προστασία χωρίς φορτίο - Ναι, ναι. Προσαρμόστε
Ενεργοποίηση ελέγχου Προσαρμόστε 3-28V
Πηγή σήματος εισόδου Ενσωματωμένη πηγή σήματος διαμόρφωσης θορύβου υψηλής ταχύτητας  
Έκδοση VSWR ≤ 2  
Δοκιμή υψηλής χαμηλής θερμοκρασίας Θερμοκρασία -20°+65°C Δουλεύει σωστά
Αποκτήστε Σταθερότητα ±2 dB Σε θερμοκρασία -20°C+65°C
Σταθερότητα ισχύος ±2 dB Σε θερμοκρασία -20°C+65°C
Λιμάνι τροφοδοσίας Θετικό και αρνητικό (Διαφορετικά: ενεργοποίηση καλωδίου ελέγχου)
Υλικό κελύφους Αλουμίνιο Με επεξεργασία πολωνικής
Σύνδεσμος εξόδου ραδιοσυχνοτήτων SMA-K  
Διάσταση 112*37*16 mm Ή Προσαρμόστε
Μέγεθος βίδες Μ2.5  
Βάρος 230 g Προσαρμόστε
Συχνότητες Προαιρετικές
- Όχι, όχι, όχι. Πεδίο συχνότητας Δύναμη εξόδου Τεχνολογία PA Απομόνωση Μέγεθος (mm)
50W VCO RF μονάδα ενισχυτή ισχύος
1 20·100 MHz 50W ΣΙΜΟΣ - Όχι, όχι. 117×58×16
2 100~200 MHz 50W ΣΙΜΟΣ - Όχι, όχι. 117×40×18 / 117×58×16
3 200-300 MHz 50W ΣΙΜΟΣ - Όχι, όχι. 117×40×18 / 117×58×16
4 300-400 MHz 50W GaN - Όχι, όχι. 117×40×18 / 117×58×16
5 300-400 MHz 50W LDMOS - Ναι, ναι. 130×58×18
6 300-400 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 130×58×18
7 400 ̇ 500 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
8 500-600 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
9 600-700 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
10 700-840 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
11 8401020 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
12 1000-1300 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
13 13001500 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
14 1550-1650 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
15 1700~1900 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
16 1900 ̇ 2100 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
17 2400 ̇ 2500 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
18 2575­2690 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
19 3100·3800 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×40×18 / 117×58×16
20 3800·4800 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
21 4800-5000 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
22 5100-5300 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
23 5300-5700 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
24 5700-5850 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
25 5900-6200 MHz 50W GaN - Ναι, ναι. 117×58×16
GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς
Εικόνες προϊόντων
GaN 50W 100W Μονάδα ενισχυτή RF αντι Drone Multi Band Solid State 10MHz-6GHz Υψηλή ισχύς

Mr. Jaron

Συγγενικά προϊόντα

Στείλε Ερευνά