품질 GaN 50W 100W 안티 드론 RF 증폭기 모듈 멀티 밴드 솔리드 스테이트 10MHz-6GHz 고출력 공장

GaN 50W 100W 안티 드론 RF 증폭기 모듈 멀티 밴드 솔리드 스테이트 10MHz-6GHz 고출력

기본 속성

원산지: 중국 본토

브랜드 이름: Roviyno

모델 번호: 라

부동산 거래

최소 주문 수량: 100

가격: $65/pc--$165/pc

지불 조건: 티/티

공급 능력: <500개 영업일 기준 10일

태그

GaN 50W 100W 안티 드론 멀티밴드 솔리드 스테이트 10MHz-6GHz 고출력 RF 증폭기 모듈 LDMOS 및 GaN 소자를 Class A 및 Class A/B 토폴로지에 적용한 솔리드 스테이트 RF 전력 증폭기 모듈. AM, FM, VHF 및 UHF 대역 전반에 걸쳐 협대역 및 광대역 작동을 위해 설계되었으며, 0 dBm에서 50 dBm 이상의 출력 전력을 제공합니다. 요청 시 맞춤형 모듈도 제공됩니다. 당사는 고급 멀티 다이 통합 및 컴팩트한 폼 팩터를 갖춘 견고한 GaN 기술 기반 RF 전력 증폭기 모듈을 제공하며, ...

제품 상세정보

강조하다:

10MHz-6GHz GaN 증폭기 모듈

,

솔리드 스테이트 RF 증폭기 모듈

,

100W 안티 드론 RF 증폭기 모듈

Frequency Range: 맞춤형

Working Voltage: 28V

Output Power (Max): ≥47dBm

LED Indicator: 예

Dimension: 130*58*18mm

Working Temperature: -20~+65℃

Gain: 47±1dB

Ripple In Band: ≤ 3dB

Temperature Protection: 75 ℃

Input Signal Source: 내장형 고속 잡음 변조 신호 소스

제품 설명

GaN 50W 100W 안티 드론 멀티밴드 솔리드 스테이트 10MHz-6GHz 고출력 RF 증폭기 모듈

LDMOS 및 GaN 소자를 Class A 및 Class A/B 토폴로지에 적용한 솔리드 스테이트 RF 전력 증폭기 모듈. AM, FM, VHF 및 UHF 대역 전반에 걸쳐 협대역 및 광대역 작동을 위해 설계되었으며, 0 dBm에서 50 dBm 이상의 출력 전력을 제공합니다. 요청 시 맞춤형 모듈도 제공됩니다. 당사는 고급 멀티 다이 통합 및 컴팩트한 폼 팩터를 갖춘 견고한 GaN 기술 기반 RF 전력 증폭기 모듈을 제공하며, 50옴 입출력 인터페이스를 갖추고 있습니다. 광대역, DPD 친화적인 작동을 위해 설계되었으며, 높은 이득과 효율성을 제공하며 견고한 열 성능을 자랑합니다.

제품 하이라이트

광범위한 주파수 기능: 100MHz ~ 7.2GHz 커버리지로 포괄적인 드론 신호 재밍 보장
맞춤형 주파수 옵션: 작동 주파수(예: 5725~5850MHz)를 고객 사양에 맞게 완전히 맞춤 설정 가능
최적화된 조정성: 최대 효율을 위해 대역폭 및 GaN 작동 전압을 미세 조정 가능
완벽한 ODM 및 OEM 솔루션: 개념 설계 및 프로토타이핑부터 생산 조정까지
신속한 배송 주기: 보증금 수령 후 3~10영업일 이내 표준 배송
편리한 결제 옵션: T/T, Western Union, PayPal, 신용카드 지원
신뢰할 수 있는 글로벌 배송: DHL, UPS, TNT, FedEx 특송 또는 경제적인 해상 운송 전 세계 이용 가능

GaN 트랜지스터를 사용하는 이유?

질화갈륨(Gallium Nitride)을 혁신적인 기술로 만드는 핵심 특징은 훨씬 높은 전력 밀도와 뛰어난 신뢰성입니다. GaN의 증가된 전력 밀도(W/mm) 덕분에 Empower는 전력 증폭기 크기를 줄이고 냉각 및 방열판 요구 사항을 최소화하며 주어진 부피당 더 많은 전력을 패키징할 수 있었습니다. GaN이 제공하는 효율성 향상을 통해 Empower RF는 더 안정적이고 작고 가벼운 광대역 전력 증폭기를 제공합니다.
GaN - 특히 SiC 상의 GaN - 은 Si 상의 GaN, GaAS HEMT, LDMOS 및 MOSFET 고출력 트랜지스터보다 더 높은 출력 전력, 더 긴 펄스 폭, 더 큰 듀티 사이클 및 훨씬 높은 MTTF를 제공합니다.
더 높은 항복 전압 60~80 VBRDSS (100-150 볼트)
더 높은 전력 밀도
우수한 열 전도성
예시: LDMOS - 12W/평방 mm 방열 vs. GaN - 70W/평방 mm 방열
더 높은 접합 온도 > 200°C (+225°C ~ 250°C)
더 높은 포화 전자 이동 속도 (더 높은 전류 전달 능력)
더 낮은 고유 커패시턴스로 인해 더 높은 입출력 장치 임피던스를 제공하여 광대역 매칭 가능
GaN은 높은 이득 및 효율성 제공 (협대역 50% ~ 60%)
우수한 노이즈 및 선형 전력 추가 효율 (PAE)

GaN - 특히 SiC 상의 GaN - 은 Si 상의 GaN, GaAS HEMT, LDMOS 및 MOSFET 고출력 트랜지스터보다 더 높은 출력 전력, 더 긴 펄스 폭, 더 큰 듀티 사이클 및 훨씬 높은 MTTF를 제공합니다.

GaN 50W 100W 안티 드론 RF 증폭기 모듈 멀티 밴드 솔리드 스테이트 10MHz-6GHz 고출력

50W 모듈 기술 데이터시트

RF 데이터

항목		사양	비고
작동 전압		28V	24-28V
작동 전류		≤ 4.2A	출력 50W
아날로그 스위핑 속도		120 KHz/ 8μ/s	맞춤 설정
출력 전력 (최대)		47±1 dBm	50W
이득		47±1 dB
대역 내 리플		≤ 3 dB	피크
대역폭 조정		예	나사로
중심 조정		예	나사로
VSWR 보호		내부 순환기	맞춤 설정
온도 보호		75°C	맞춤 설정
무부하 보호		예	맞춤 설정
활성화 제어		맞춤 설정	3-28V
입력 신호 소스		내장 고속 노이즈 변조 신호 소스
출력 VSWR		≤2
고저온 테스트	온도	-20~+65°C	정상 작동
	이득 안정성	±2 dB	-20°C ~ +65°C에서
	전력 안정성	±2 dB	-20°C ~ +65°C에서
전원 공급 포트		양극 및 음극	(선택 사항: 활성화 제어 와이어)
하우징 재질		알루미늄	폴리싱 처리 포함
RF 출력 커넥터		SMA-K
치수		1123716 mm	또는 맞춤 설정
나사 크기		M2.5
무게		230g	맞춤 설정

주파수 옵션

번호	주파수 범위	출력 전력	PA 기술	절연기	치수 (mm)
50W VCO RF 전력 증폭기 모듈
1	20–100 MHz	50W	SiMOS	아니요	117×58×16
2	100–200 MHz	50W	SiMOS	아니요	117×40×18 / 117×58×16
3	200–300 MHz	50W	SiMOS	아니요	117×40×18 / 117×58×16
4	300–400 MHz	50W	GaN	아니요	117×40×18 / 117×58×16
5	300–400 MHz	50W	LDMOS	예	130×58×18
6	300–400 MHz	50W	GaN	예	130×58×18
7	400–500 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
8	500–600 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
9	600–700 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
10	700–840 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
11	840–1020 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
12	1000–1300 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
13	1300–1500 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
14	1550–1650 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
15	1700–1900 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
16	1900–2100 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
17	2400–2500 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
18	2575–2690 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
19	3100–3800 MHz	50W	GaN	예	117×40×18 / 117×58×16
20	3800–4800 MHz	50W	GaN	예	117×58×16
21	4800–5000 MHz	50W	GaN	예	117×58×16
22	5100–5300 MHz	50W	GaN	예	117×58×16
23	5300–5700 MHz	50W	GaN	예	117×58×16
24	5700–5850 MHz	50W	GaN	예	117×58×16
25	5900–6200 MHz	50W	GaN	예	117×58×16